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    可控硅元件的參數說明
    可控硅產品技術參數中的符號說明
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    VDRM:斷態重復峰值電壓
    VRRM:反向重復峰值電壓
    VDSM:斷態不重復峰值電壓
    VRSM:反向不重復峰值電壓
     VTM:通態峰值電壓
     VTO:通態門檻電壓
    VISO:模塊絕緣電壓
     VGT:門極觸發電壓
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    IT(AV):通態平均電流
    IF(AV):正向平均電流
      IDRM:斷態重復峰值電流
      IRRM:反向重復峰值電流
     ITRMS:通態電流有效值
       ITM:通態峰值電流
      ITSM:正向一個周波不重復浪涌電流(峰值)
       IGT:門極觸發電流
        IH:維持電流
       I2t:電流平方時間積
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        Tq:關斷時間
       trr:反向恢復時間
       THS:散熱器溫度
        Tj:工作結溫
       Tjm:額定結溫
        Tg:環境結溫
     dv/dt:斷態電壓臨界上升率
     di/dt:通態電流臨界上升率
        Rt:通態斜率電阻
    Rth(j-hs):熱阻抗(結至散熱器)
     Rth(j-C):熱阻抗(結至元件管殼)
        Qr:反向恢復電荷
       L*p:光觸發靈敏度
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    ◆◆單向可控硅元件:
    通態平均電流IT:在環境溫度為+40℃和規定冷卻條件下,元件在電阻性負載的單相工頻正弦半波,導通角不小于170度的電路中,當結溫穩定并不超過額定結溫時,所允許的最大通態平均電流。
    斷態不重復峰值電壓VDSM:門極斷路時,在正向伏安特性曲線急劇彎曲處的斷態峰值電壓。
    斷態重復峰值電壓VDRM:為不重復斷態峰值電壓的90%。
    斷態不重復平均電流IDS:門極斷路時,在額定結溫下對應于斷態不重復峰值電壓下的平均漏電流。
    斷態重復平均電流IDR:對應于斷態重復峰值電壓下的平均漏電流。
    門極觸發電流IGT:在室溫下,主電壓為6伏直流電壓時,使元件完全開通所必須的最小門極直流電流。
    門極觸發電壓VGT:對應于門極觸發電流時的門極直流電壓。
    斷態電壓臨界上升率dv/dt:在額定結溫和門極斷路時,使元件從斷態轉入通態的最低電壓上升率。
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    ◆◆雙向可控硅元件:
    通態電流IT:在環境溫度為+40℃和規定冷卻條件下,元件在電阻性負載的單相工頻正弦半波電路中,當結溫穩定并不超過額定結溫時,所允許的最大通態電流有效值。
    換向電流臨界下降率(di/dt)c:元件由一個通態轉換到相反方向時,所允許的最大通態電流下降率。
    門極觸發電流IGT:在室溫下,主電壓為12伏直流電壓時,用門極觸發,使元件完全開通所需的最小門極直流電流。
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    ◆◆快速可控硅元件:
    門極控制開通時間tgt:在室溫下,用規定門極脈沖電流使元件從斷態至通態時,從門極脈沖前沿的規定點起到主電壓降低到規定的低值所需要的時間。
    電路換向關斷時間tq:從通態電流降至零這瞬間起,到元件開始能承受規定的斷態電壓瞬間止的時間間隔。
     
     
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